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单晶碳化硅的飞秒激光加工性能与材料去除机理研究 - 中国知网
Source: kns.cnki.net
Article summary:
1. 研究了单晶碳化硅表面的飞秒激光刻蚀过程，并考察了能量密度、重复频率、扫描速度、扫描次数和数值孔径等参数对微刻蚀性能（刻蚀深度、刻蚀宽度、受热区宽度、材料去除速率和侧壁倾斜角）的影响。
2. 利用单束飞秒激光在单晶SiC表面上制备各种周期性结构，并进行X射线光电子能谱（XPS）分析原子键以及X射线衍射分析（XRD）和Raman光谱分析的体力学失衡。
3. 通过实验方法来增加宽高比以及减少受热区宽度的影响，并进行重要性分析。
Article analysis:
本文是一个关于单晶SiC表面飞秒激光加工性能与材料去除机理的具体实证性文章。作者使用了大量的实验数据来说明其报道内容，并清楚地将其报道内容与相关理论相关联。此外，作者也使用了大量的图片来帮助说明他们所要传达的信念。
然而，本文也存在一些问题。例如，作者在本文中强调了飞秒时间尺度上的优势，但是他们并没有考虑其他时间尺度上可能存在的优势或不同之处。此外，作者也未考察不同材料之间如何影响飞秒时间尺度上加工性能与材料去除机理之间的关系。此外，作者也未考察不同工艺参数如何影响不同材料之间加工性能与材料去除机理之间的关系。
因此，我们可以看出这是一个片面的、无根据的且考虑不周全的文章。