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Article summary:
1. 使用氧化物等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术在低温下制备了非晶态氧化镓（Ga2O3）薄膜。
2. 随着温度的升高，Ga2O3薄膜的带隙能量逐渐从5.04eV减少到4.76eV。
3. X射线衍射和透射电子显微镜分析表明，在80-200°C的温度下生长的Ga2O3薄膜是无定形的，而250°C时生长的Ga2O3薄膜具有一些纳米晶结构。
Article analysis:
这篇文章是一份关于使用PEALD在低温下制备Ga2O3薄膜的实验性文章。文章中使用了X射线光电子能谱、X射线衍射、原子力显微镜、透射电子显微镜和X射线反射来对所制备的Ga2O3进行表征。因此，这份文章可以说是相当可信度和可靠性。
然而，也存在一些问题。例如，文章中并没有对不同材料或不同工作条件之间存在的差异进行详细说明或对此进行定量分析。此外，文章中也未考虑其他因素如气氛、浓度、功耗、厚度和其他工作条件对所制备样品性能的影响。此外，文章中也未考虑样品在不同工作条件下会出现不同效应或者会出现不同效应时性能会有所不同的情况。