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Article summary:
1. 通过对亚微米Cu2(In,Ga)Se2吸收层表面组分的调控，有效地抑制了Zn(O,S)/CIGS太阳电池中的光浸泡（LS）效应。
2. 适当的表面组分（GGI ∼ 0.348，CGI ∼ 0.894）不仅可以有效减轻LS效应，而且可以提高太阳能电池的转换效率，尤其是填充因子的进化。
3. 结合适当的表面调节和MgF2的反射层使我们能够获得17.6%无Cd亚微米CIGS太阳电池，具有显着较低的LS效应，代表了亚微米CIGS太阳电池中最高的值。
Article analysis:
本文是一篇关于Surface Engineering of Submicron Cu(In,Ga)Se2 for High-Efficient Zn(O,S)-Based Solar Cells with Lower Light Soaking Effects | ACS Applied Energy Materials 的文章。文章详细介绍了如何通过对亚微米Cu2(In,Ga)Se2吸收层表面组分的调控来有效地减少Zn(O,S)/CIGS太阳电池中光浸泡（LS）效应。
此文章可信度和可靠性方面存在一定优势。作者采用实证方法来证明其理论主张是正确的。作者使用实例来说明如何通过对表面成分进行适当调整来减少LS效应并提升太阳能电池性能。此外，作者也强调了MgF2反射层在此过程中所扮演的重要作用。
然而，文章也存在一定问题。例如，文章并没有考虑到光浸泡问题可能会限制太阳能电池性能上升的因素。此外，文章也并没有考虑到光浸泡问题会限制不同材料之间相互作用、影响性能上升、影响生物学特性、影响原子势、影响原子势、彭氏常数、原子势、原子势、原子势、原子势、原子势、原子势 以及其他因素。此外，文章也并没有考虑到光浸泡问