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Article summary:
1. 本文提出了一种自整流的Al2O3/TaOx膜电阻器，通过界面层实现低电流下的渐进操作。这种自整流器件可以抑制泄漏电流，同时不影响设备的原始性能，无需选择器，并有效降低工艺成本。
2. 研究人员采用Au/TaOx/Al2O3/TiN结构设计了自整流膜电阻器。通过构建TaOx/Al2O3不同化学计量比的堆叠结构，在1微安以下的合规电流下引入整流开关模式，实现非线性约236.76和小于1纳安的潜行电流。分析表明，界面势垒和Al2O3中与空位相关的缺陷是这种特殊行为的原因。
3. 通过读出边际计算，有效阵列规模可达到约400个，进一步证实了该膜电阻器可以抑制潜行电流。这种自整流膜电阻器简化了后续阵列设备设计，为在高度紧凑场景中应用提供了可能性。
Article analysis:
这篇文章介绍了一种具有渐进操作特性的自整流Al2O3/TaOx存储电阻器。文章指出，交叉点结构的存储电阻器阵列中的潜行路径电流现象可能导致串扰，限制了其在高密度大规模阵列中的应用。为了抑制泄漏电流而不影响设备的原始性能，自整流设备是最佳选择。该研究提出了一种基于Au/TaO
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/Al
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/TiN的自整流存储电阻器。通过在构建TaO
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/Al
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不同化学计量堆叠后引入整流开关模式，在1μA的合规电流下，非线性度约为236.76，潜行电流低于1nA，并且可调节导纳。详细分析表明，界面势垒和Al
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中与空位相关的缺陷是这种特殊行为的原因。通过读出边际计算，有效阵列规模可达到约400个，进一步证实了存储电阻器可以抑制潜行电流。这种自整流存储电阻器简化了后续阵列的设备设计，为在高度紧凑场景中应用提供了可能。
文章的内容看起来比较客观和详细，对自整流存储电阻器的设计和性能进行了充分的描述和分析。然而，由于我无法访问完整的文章，无法对其潜在偏见及来源、片面报道、无根据的主张、缺失的考虑点、所提出主张的缺失证据、未探索的反驳、宣传内容，偏袒，是否注意到可能的风险，没有平等地呈现双方等方面进行全面评估。